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型号 SI4816BDY-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET DL N-CH 30V 6.8A 8-SOIC
SI4816BDY-T1-GE3 PDF
代理商 SI4816BDY-T1-GE3
产品目录绘图 DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装 1
FET 型 2 个 N 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.8A，8.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 18.5 毫欧 @ 6.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 10nC @ 5V
功率 - 最大 1W，1.25W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOICN
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI4816BDY-T1-GE3CT
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